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SPA6100半導體參數分析儀

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        SPA6100光電器件技術參數闡述儀享有高品質兼優、寬衡量比率、 迅速的機靈、兼容性問題強等的優勢,食品能夠 此外蘋果支持DC感應電流-電流值(I-V)、電容(電容器)-電流值(C-V)相應高流高壓變壓器下電磁式I-V性能指標的測驗。        源于模塊圖片化的結構的架構設計,不錯作用朋友隨著監測必須,靈活多變選購測量單無參與升極。產品的適用最大1200V線電壓、100A大直流電壓、1pA小直流電壓辨別好壞率的測量,此外監測10kHz至1MHz面積內的多頻AC濾波電容測量。        運載專用的半導體設備性能測試APP,大力支持通訊式會自動改手動運行流程或相結合電極臺的會自動運行流程,可以從衡量設制、制定、但是研究分析到數據分析管理制度的整體流程,確保優質和可多個的功率器件定量分析;也可與高超恒溫箱、溫控儀模塊圖片等搭配著便用,滿足需要高超恒溫測試供給。

產品特點

● ;   30μV-1200V,1pA-100A 寬(kuan)量程(cheng)測(ce)試能(neng)力

●     測量精度高,全量程下可達(da)0.03%

●     內置標準器件測試程序,直接調用測試簡便 

●     自(zi)動實(shi)時參(can)數(shu)提取、 數(shu)據繪圖、分析函數(shu)

●     在CV和IV測量之間(jian)快速(su)切換而無需重新布線

●     提供靈活的夾具(ju)定(ding)制方案,兼容性(xing)強(qiang)

●     免費提供上位機軟(ruan)件及SCPI指令集


軟件動畫場景及(ji)公測主要參數

1、納米材料:電阻率、載流(liu)子(zi)遷(qian)移(yi)率、載流(liu)子(zi)濃度、霍爾電壓

2、柔性材料:拉伸/扭轉/彎折(zhe)、V-t、I-t、R-t、電阻(zu)率、靈敏度

3、IC芯片:O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲線

4、分立器件:BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出/轉移/CV曲線(xian)等(deng)

5、光電探測器:暗(an)電(dian)流ID、結電(dian)容Ct、反向擊穿電(dian)壓VBR、響應度R

6、鈣鈦礦電池:VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7、LD/LED/OLED:Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲線

8、傳感器/憶阻器:V-t、I-t、R-t、直(zhi)流(liu)/脈沖(chong)/交流(liu)IV測試(shi)


特性好處

1、模塊化配置:可(ke)靈活配置(zhi)多種測量單(dan)元,預留升級空(kong)間,方便(bian)后期(qi)升級

2、圖形化界面:內置常(chang)用器件模(mo)板,可直接調(diao)用,并且支持輸出(chu)三(san)種模(mo)式測試報告

3、自動化測試:內(nei)嵌低漏(lou)電(dian)矩(ju)陣(zhen)開關,可(ke)自動切換測試電(dian)路,實現一鍵(jian)測試功能

4、夾具可定制:支持二(er)極管(guan)、三極管(guan)、Si及SiC MOS管(guan)、IGBT等器件

5、多設備聯動:可與探針臺、溫(wen)控(kong)模(mo)塊等搭(da)配使用(yong),溫(wen)控(kong)范圍(wei):室溫(wen)~250℃

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加大(da)半(ban)導(dao)體技術(shu)物料、集(ji)成(cheng)塊集(ji)成(cheng)電路(lu)芯片裝修設計及(ji)其先進的(de)生產技術(shu)的(de)開拓認證

1、適配直流變壓器、激光脈沖I-V檢查

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2、默認設置正規矩陣的特征值電源開關,從而提高測式率

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3、可與各種各樣設施設備三級三級聯動利用:晶圓級電子器件的性能測試要與探頭臺三級三級聯動,可靠的性開展會密切相關恒溫的以其高低溫等條件

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4、三同基準面纜發展小交流電測量可靠性強,精密度

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形狀化PC軟件畫質

能默契配合普賽斯自主經營發展的正規專業測驗應用,SPA6100可隨意達成半導體設備資料,元配件的叁數測驗。系統化原機選用元配件模具,如電感, 二極管,MOSFET。測驗操作過程中,可間接調節,只需簡潔使用測驗叁數就可以了。應用支持系統測驗參數展現,并且線條制作。測驗正在 后,可將參數并且線條導入到維持。

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敏銳可定(ding)制網(wang)站化的治具細則

采取市售上多種整流二極管封裝款式的半導體行業元器物料,普賽斯可以提供每套組合治具克服策劃方案。組合治具具備有低電位差、組裝簡約、類種多樣等優勢特點,可 在整流二極管、二極管、場不確定性晶狀體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管,模組類物料的軟件測式;也可與檢測器臺連結,實行晶圓級心片 軟件測式。


區別裝封內型的(de)卡具

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產品選型

舒張壓電流(liu)I-V源預估(gu)單(dan)元式

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-S1000.1%30V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S2000.1%100V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S3000.1%300V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S100B0.03%30V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S200B0.03%100V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S300B0.03%300V300mV30μV3A100nA10pA

低電壓電脈沖(chong)I-V源在線(xian)測量機(ji)組

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-P1000.1%30V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P2000.1%100V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P3000.1%300V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P100B0.03%30V300mV30μV4A(直流變壓器) / 30A(電磁)100nA1pA200μs
SPA-P200B0.03%100V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs
SPA-P300B0.03%300V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs

高壓電I-V源側量單元(yuan)式

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-E1000.1%1200V100V10mV100mA1μA100pA

高流(liu)I-V源精確測量單位

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-HCP1000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP2000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP3000.1%100V300mV30μV30A(直流)/100A(脈沖)100nA10pA80μs

電感自動測量模塊

型號測試頻率測試點數頻率分辨率頻率輸出精度基本精度內部直流偏置信號可測參數與量程
SPA-C10010Hz-1MHz可編程5 位±0.1%±0.5%10mV to 2V (1mV 分辨率) / 100uA-20mA|Z| , R, X   0.001mΩ-99.999MΩ|Y| , G, B   0.1nS-99.999SCs Cp   0.01pF-9.9999F



*綜上所述金橋銅業跨接線的截面積大小知悉更行,恕不據實信息。

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