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●   高電(dian)壓達3500V(最大擴展(zhan)至12kV)

●   大電流達6000A(多模塊并聯)

●   nA級漏電(dian)流μΩ級導通(tong)電(dian)阻

●   高精度測(ce)量0.1%

● ;  模塊(kuai)化配置，可添加或升級測(ce)(ce)量單元(yuan)，可打造IV、CV、跨導(dao)等(deng)充實技(ji)能的(de)綜合性軟(ruan)件測(ce)(ce)試(shi)

●   測試(shi)效率高，自動切(qie)換、一鍵測試(shi)

●   溫(wen)度范圍廣，支持常(chang)溫(wen)、高溫(wen)測試

●   兼容(rong)多種封(feng)裝(zhuang)，根據測試需求(qiu)定制夾具(ju)

測試項目

●   二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

●   三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

●   Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極(ji)內(nei)阻Rg、輸入電(dian)(dian)容(rong)Ciss/Cies、輸出電(dian)(dian)容(rong)Coss/Coes、反(fan)向傳輸電(dian)(dian)容(rong)Crss/Cres、跨導gfs、輸出特(te)性曲線、轉移特(te)性曲線、C-V特(te)性曲線

●   光(guang)耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容(rong)CT、輸出(chu)電容(rong)CCE、電流(liu)傳輸比CTR、隔離電容(rong)CIO

系統優勢

1、IGBT等大功率器件由于(yu)(yu)其(qi)功率特點極易產(chan)生大量熱量，施加(jia)應力時間長，溫度迅速上升，嚴(yan)重時會(hui)使器件損壞(huai)，且不(bu)符合(he)器件工作特性(xing)。普賽(sai)斯髙(gao)壓模快實現的耗時小于(yu)(yu)等于(yu)(yu)5ms，在考試方(fang)式中會(hui)變少(shao)待測物加(jia)電耗時的發(fa)燒。

2、直流(liu)(liu)電下漏電流(liu)(liu)的公(gong)測(ce)(ce)(ce)儀效率(lv)無可(ke)比(bi)擬(ni)，公(gong)測(ce)(ce)(ce)儀遮蓋率(lv)相對比(bi)較國際級的品牌。市面上(shang)絕大(da)(da)多(duo)數器(qi)件的規(gui)(gui)格書顯示(shi)，小模塊(kuai)在高溫測(ce)(ce)(ce)試時漏電流(liu)(liu)一般大(da)(da)于5mA，而車規(gui)(gui)級三相半橋高溫下漏電大(da)(da)于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(gui)(gui)格書為(wei)例：3300V，125℃測(ce)(ce)(ce)試條件下ICES典型值(zhi)14mA，最大(da)(da)40mA。普賽斯靜(jing)態(tai)系(xi)統高壓模塊(kuai)測(ce)(ce)(ce)試幾(ji)乎可(ke)以完美應對所(suo)有類型器(qi)件的漏電流(liu)(liu)測(ce)(ce)(ce)試需求。

PMST工作電壓器材靜止系統化區別產品規格配值型號查詢參考價值：