盛夏已過，初秋開場

九月的較高溫度猶在按期不散日常生活也免不出被忙亂的業務詛咒

壓力大輸出功率(6500V/3000A)IGBT檢查難？伴時間推移內容需求分析急、任務卡重、耍求高建設技術員們負壓山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

致使SiC與Si屬性的各種不同，SiC MOSFET的閥值相電流具有著不固定義，在電子元件測評時候中閥值相電流老有比較突出漂移，使得其電的性能測評還有高的溫度柵偏經過多次實驗發現后的電測評結果顯示可怕依賴感于測評前提條件。于是閥值相電流的精確測評，目前安全性測評方式 有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通內阻 RDSon為關系元件操作時導通耗費的一更重要基本特征參計算結果，其計算結果會隨 VGS 或是T的變化規律而轉換。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流守護才能將電壓或是電壓控制在SOA區城，避開元器丟失或炸管。

公測生活條件：800V 恒壓 10μA 限流

測量因素：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）直流電監測電路原理將提升 導通的電壓測定精確；? SOCKET與PIN接觸功率熱敏電阻、測式引線導通功率熱敏電阻。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電壓波形參數振蕩器；? 路線圖等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 一般的同軸線纜的等效電阻與DUT電容串聯，SMU測試軟件時升高或不穩時長長；? 三同軸電纜線等效電阻可以說為0。

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