一、裝置情況

       測試圖片光電器件素材的霍爾效用是數據分析方法和數據分析光電器件素材的關鍵性科技手段。自己可基于霍爾比率的遺漏來鑒別光電器件素材的導電類行，是N型或是P型；霍爾效用從實質上講是活動的導電連接微粒在電場強度中受洛侖茲巨作用而引致的偏轉。當導電連接微粒（自動化或空穴）被干涉在膠體素材中，這款偏轉就會造成在維持于直流電和電場強度的方往右呈現正負極電荷量的聚積，若想導致扣除的雙重電場強度。基于霍爾比率下列關于與溫的干系可斷定載流子的鹽氧濃硫酸濃度，及載流子鹽氧濃硫酸濃度同溫的干系，因而可斷定素材的禁帶寬使用度和鈣鎂離子電離能；用霍爾比率和電阻器率的綜合側量方法要斷定載流子的移遷率，用微分霍爾效用法可測橫向聯系載流子鹽氧濃硫酸濃度地域分布；側量方法高低溫霍爾效用可斷定鈣鎂離子彌補度。

       與一些檢測其他的是霍爾基本參數表檢測中檢測點多、連接方式繁雜，求算量大，需外接高溫和電場情況等特殊性，再此前提下下，帶有大量手動檢測不是有機會成功完成的。霍爾定律檢測小軟件化會滿足幾百到至幾千點的多基本參數表自動式鎖定校正，小軟件化由Precise S編源表，2700 行列式面板開關和霍爾定律檢測小軟件 Cyclestar 等成分。可在其他的電場、高溫和直流電下給出檢測最后求算出阻值率、霍爾標準值、載流子有機廢氣濃度和霍爾轉入率，并制作曲線方程圖。

二、細則優勢特點

       1、標準規定操作系統可參與在不同于的電磁場和不同于的電流量具體條件下的霍爾相互作用和功率電阻的測試；

       2、自測和核算工作由工具自己進行，夠表現資料和擬合曲線；

       3、首選變溫選件，能開始其他氣溫要求下的霍爾相應和電容的檢測的；

       4、電阻器測量依據：0.1mW—50MW。

三、測試資料

       1、半導體行業相關建材：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體相關建材等；

       2、高電阻值物料：半電絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等；

       3、低特性阻抗食材：黑色金屬、白色鈍化物、弱帶磁半導體食材食材、TMR 食材等。

四、體統的工作原理

       霍爾負效應檢查機系統主要的是對霍爾器材的 I-V 在線測量，再利用其它相應參數表來算起出各自的值。

       阻值率：范德堡法量測阻值率需著力試品去 8 次量測。 電級 1、2 加交流電電級 4、3 測額定內阻值降，和電級 2、3 加交流電電級 1、4 測額定內阻值降，得見的阻值率被稱作 ρA；收起來電級 3、4 加交流電電級 2、1 測額定內阻值降，和電級 4、1 加交流電電級 3、2 測額定內阻值降，得見的阻值率被稱作 ρB。要試品不均， ρA 和 ρB 更更加接近，求其的對數正態分布 即能得見試品的阻值率 ρav =( ρA + ρB ) / 2。

 五、軟件設備構造

六、體統運行環境

       源表：2臺雙路通道SMU；

       連結線：237-ALG-2，Triax轉灣鱷夾連結線。

七、功效推薦

       1、可開展霍爾作用、I-V 因素、R-T 因素和 R-M 因素的自動測量；

       2、可知出產品參數： 方塊電容、 電容率、 霍爾比率、 霍爾遷出率、 載流子鹽濃度和導電方式；

       3、 R-T 性能指標—規定磁場強度，電容隨熱度而轉化的性能指標曲線圖；

       4、R-M 性能指標—固定位置的溫度，電阻器隨電場而變遷的性能指標等值線；

       5、身材曲線擬合建模能力：I-V 基本特征—在各種區別交變電場和各種區別溫度經濟條件下的 I-V 基本特征身材曲線擬合；

       6、R-T 特征參數—比較固定磁體，電容隨氣溫而變的特征參數曲線方程；

       7、R-M 的特點—比較固定熱度，電阻值隨磁體而變現的的特點線性。